GaN HEMT的共源共栅结构

摘要

描述了一种多级晶体管装置。这种装置的一个实施例是双栅极晶体管，其中，薄间隔层把第二级栅极和势垒层隔开并且第二级栅极通过与源极连接接地。在一个实施例中，薄间隔层和第二级栅极被放置在间隔层的一个孔中。在另一个实施例中，由间隔层将第二级栅极和势垒层隔开。该装置能够表现出改进的线性度和降低的复杂性和成本。