法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-03
授权
授权
2015-09-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/105 申请日:20130827
实质审查的生效
2014-03-12
公开
公开
机译: 包括金属-硅-氮化物图案的半导体器件及其形成方法
机译: 形成具有改善的紫外线透射性能,能够减少硅氮化物中的硅当量的硅氮化物膜的方法以及包括该硅氮化物膜的半导体器件
机译: 制造半导体器件的金属图案的方法,该方法包括在图案的Ti层的暴露侧壁上形成氮化物层