University of Kentucky;
机译:纳米金属氧化物半导体器件界面介电常数的不匹配与高K栅极介电质对反型电荷密度的影响
机译:在纳米金属氧化物 - 半导体器件的界面处不匹配,具有高E ???栅极介电影响对反转电荷密度
机译:使用HFO_2和SiO_2栅极电介质的硅和碳化硅基金属氧化物半导体器件
机译:在栅氧化物中采用多种介电材料的绝缘子MOSFET上双金属栅硅器件性能的研究
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:后栅极介电处理对超临界流体技术对锗基金属氧化物半导体器件的影响
机译:亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅介电非晶LaGdO3栅金属氧化物半导体器件
机译:喷射气相沉积(JVD)氧化硅/氮化物/氧化物薄膜(ONO)薄膜作为siC和GaN器件的栅极电介质的研究。