公开/公告号CN105719967A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-29
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;
申请/专利号CN201510947758.0
申请日2015-12-17
分类号H01L21/329;H01L29/47;H01L29/872;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人申屠伟进
地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
入库时间 2023-12-18 15:49:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-08
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/329 申请公布日:20160629 申请日:20151217
发明专利申请公布后的驳回
2016-07-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/329 申请日:20151217
实质审查的生效
2016-06-29
公开
公开
机译: 制造III族氮化物半导体层的设备,制造III族氮化物半导体层的方法,III族氮化物半导体发光器件,制造III族氮化物半导体半导体器件和放大器的方法
机译: 氮化物半导体器件的制造方法,氮化物半导体器件,氮化物半导体发光器件以及制造氮化物半导体层的方法
机译: 形成能够增加氮化物半导体层的结晶度的蓝宝石表面图案的方法,使用该氮化物半导体层制造氮化物半导体发光器件的方法以及氮化物半导体半导体发光器件