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【24h】

Characterization of Polysilicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (SONOS) Nonvolatile Semiconductor Memory (NVSM) Devices

机译：多晶硅-氮化物-氮化物-硅氧化物（SONOS）非易失性半导体存储器（NVSM）器件的表征

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《Electromagnetic Compatibility Symposium Record, 1968 IEEE》||418- 419|共2页
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Xiaonan Steven Wang; Yu Wang; Chabalko M.J.; White M.H.; Wrazien S.J.;
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