机译:具有硅纳米晶体非易失性存储器的p沟道和n沟道无结全栅多晶硅纳米线的研究
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机译:全方位门(GAA)通道结构制造的多晶硅Si纳米线SONOS非易失性存储单元
机译:多晶硅-氮化物-氮化物-硅氧化物(SONOS)非易失性半导体存储器(NVSM)器件的表征
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机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:用原位掺杂多晶硅纳米线构建的无结SONOS非易失性存储设备
机译:2K非易失性影子Ram和265K EEpROm sONOs非易失性存储器开发