首页> 中国专利> 紫外微图形化氧化物薄膜的制备方法及薄膜晶体管

紫外微图形化氧化物薄膜的制备方法及薄膜晶体管

摘要

一种紫外微图形化氧化物薄膜的制备方法及薄膜晶体管,氧化物薄膜的制备方法包括如下步骤,将氧化物前驱体溶液通过非真空法在基底上形成氧化物前驱体薄膜,用紫外光通过具有图形的掩膜板对氧化物前驱体薄膜进行曝光,氧化物前驱体薄膜受紫外光照射的部分化学性质发生变化,未照射部分化学性质不变,再经去离子水浸泡显影实现图形化;其中,前驱体溶液中所使用的溶剂为水且不含其它有机添加剂。氧化物薄膜呈半导体、绝缘体或者导体性质。本发明能实现氧化物薄膜的有效图形化,工艺简单,对膜层无污染,图形化过程能有效减少膜层中所含杂质,且能实现低温制备高质量氧化物或复合材料薄膜。所制备薄膜晶体管性能良好,工艺简单,适用范围广。

著录项

  • 公开/公告号CN105244283B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201510705120.6

  • 发明设计人 兰林锋;李育智;彭俊彪;

    申请日2015-10-26

  • 分类号

  • 代理机构北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人赵蕊红

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2022-08-23 10:10:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-04

    授权

    授权

  • 2016-02-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20151026

    实质审查的生效

  • 2016-01-13

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号