阳极氧化非铟基金属氧化物薄膜晶体管

摘要

在这项工作中,利用一种非常规、低成本、低污染的技术制备非铟基金属氧化物薄膜晶体管(TFT).采用阳极氧化法将Zn金属膜变为ZnO半导体薄膜,阳极氧化ZnO薄膜中的氧含量能受到灵活的调节,并使得ZnO薄膜的电学和光学特性发生改变.通过图形化阳极氧化Zn金属,制备了具有新颖结构的TFT器件,其中,源漏为金属Zn,沟道区为阳极氧化ZnO.制备的ZnO TFT具有合理的开关特性,且阈值电压可调.此外,采用阳极氧化Zn/Sn合金形成锌锡氧化物(ZTO)半导体的方法,成功地制备了阳极氧化ZTO作为沟道的ZTO TFT器件.