基于印刷双层电极的氧化物薄膜晶体管

摘要

为满足印刷显示的大面积制备、低信号延迟的需求,有必要开发应用于氧化物薄膜晶体管(TFTs)的低电阻印刷电极.研究发现喷墨打印Ag和氧化物有源层的界面接触特性较差,导致基于Ag电极的氧化物TFT性能很差.通过在Ag电极和有源层中间插入喷墨打印的氧化铟锡(ITO)电极,可以阻隔Ag纳米颗粒扩散入有源层.此外,ITO电极可以与Ag和有源层形成良好的接触特性,大幅降低了接触电阻.基于Ag/ITO双层电极的TFT较基于单层Ag电极的性能大幅提升:迁移率达16.0 cm2·V-1·s-1,开关比达6.2×107,亚阈值摆幅为174 mV/Decade,阈值电压为-2.0 V.该结果证明了印刷Ag电极在氧化物TFT的应用潜力,并有助于建立导电氧化物薄膜和金属导电纳米材料堆叠结构的复合导电薄膜体系,实现优势互补.