公开/公告号CN106384748B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-06-21
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州易正科技有限公司;
申请/专利号CN201610963227.5
申请日2016-11-04
分类号H01L29/786(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/22(20060101);H01L29/10(20060101);
代理机构11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司;
代理人张伟静
地址 310000 浙江省杭州市西湖区文三路569号康新花园B幢1303室
入库时间 2022-08-23 10:34:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-21
授权
授权
2019-01-18
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/786 登记生效日:20181229 变更前: 变更后: 申请日:20161104
专利申请权、专利权的转移
2019-01-18
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/786 登记生效日:20181229 变更前: 变更后: 申请日:20161104
专利申请权、专利权的转移
2017-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/786 申请日:20161104
实质审查的生效
2017-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/786 申请日:20161104
实质审查的生效
2017-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20161104
实质审查的生效
2017-02-08
公开
公开
2017-02-08
公开
公开
2017-02-08
公开
公开
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机译: 包含膜的氧化物和氧化物半导体薄膜晶体管以及使用该氧化物的氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法
机译: 含氧化物的氧化物,氧化物半导体薄膜晶体管及使用该方法的氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法
机译: 薄膜晶体管,一种制造薄膜晶体管和具有该薄膜晶体管的平板显示器的方法,能够稳定地保持氧化物半导体层的半导体特性