首页> 中国专利> 一种Si/NiO:Na异质pn结二极管

一种Si/NiO:Na异质pn结二极管

摘要

本发明公开了一种Si/NiO:Na异质pn结二极管,至少包括pn结和欧姆接触电极,所述pn结由n型Si衬底上生长p型NiO:Na薄膜而得到的异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在n型Si衬底上制备p型NiO:Na薄膜最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。本发明中异质pn结二极管具有较高的反向击穿电压、较大的正向电流密度,而且其制备方法工艺简单、成本低廉。

著录项

  • 公开/公告号CN104124282B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津职业技术师范大学;

    申请/专利号CN201310146661.0

  • 发明设计人 李彤;

    申请日2013-04-25

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 300222 天津市津南区大沽南路1310号天津职业技术师范大学

  • 入库时间 2022-08-23 10:09:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-14

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/861 授权公告日:20180410 终止日期:20190425 申请日:20130425

    专利权的终止

  • 2018-04-10

    授权

    授权

  • 2014-12-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/861 申请日:20130425

    实质审查的生效

  • 2014-10-29

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号