一种Si/NiO:Ag异质pn结二极管

摘要

本发明公开了一种Si/NiO:Ag异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结由n型Si衬底上生长p型NiO:Ag薄膜而得到的异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在n型Si衬底上制备p型NiO:Ag薄膜最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。本发明中异质pn结二极管具有较高的反向击穿电压、较大的正向电流密度，而且其制备方法工艺简单、成本低廉。