公开/公告号CN104505444B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-03-06
原文格式PDF
申请/专利权人 西安神光安瑞光电科技有限公司;
申请/专利号CN201410752683.6
申请日2014-12-09
分类号H01L33/06(20100101);H01L33/00(20100101);
代理机构61211 西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人胡乐
地址 710100 陕西省西安市航天基地东长安街888号
入库时间 2022-08-23 10:07:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-06
授权
授权
2015-05-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/06 申请日:20141209
实质审查的生效
2015-04-08
公开
公开
机译: 减少和/或消除SiC外延生长中外延层/衬底界面附近的基底平面位错的预处理方法
机译: 用于评估异质外延层中缺陷密度的无损晶圆级方法
机译: 用于评估异质外延层中缺陷密度的无损晶圆级方法