一种基于原位腐蚀的锗外延层缺陷密度检测方法

摘要

本发明属于半导体光电集成器件制造技术领域，具体涉及一种基于原位腐蚀的锗外延层缺陷密度检测方法,包括在硅片上生长锗外延层；通入HCL气体对硅片表面的锗外延层进行腐蚀，利用缺陷的腐蚀速率差异形成缺陷腐蚀坑；制作适合原子力显微镜样品台尺寸的样品；用原子力显微镜统计外延层表面缺陷腐蚀坑，获得外延层的缺陷密度；本发明与现有技术相比，简化了操作，缩短了测量时间、节约了成本，提高了可靠性。