含有硅通孔热应力电路的静态时序分析方法

摘要

本发明属于涉及含有硅通孔热应力电路的静态时序分析方法，其包括以下步骤：(1)确定电路中所使用的硅通孔类型；(2)从电路中提取硅通孔各层材料和晶体管的物理参数；(3)利用应力的数学模型，得到圆柱坐标系下的单个硅通孔各层材料的径向应力和环向应力；(4)求解应力表达式中各系数的边界条件；(5)将圆柱坐标系下的应力转换到笛卡尔坐标系下的应力；(6)根据线性叠加准则得到由多个硅通孔引起的总的热应力分布；(7)计算不同沟道方向下的载流子迁移率变化的影响；(8)将载流子迁移率的变化添加到电路的门级网表中，在时序约束条件下，运行PrimeTime进行静态时序分析，得到电路的最长路径延时和时序裕量变化情况。