一种在硅衬底上制备β‑碳化硅薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种在硅（Si）衬底上的β‑碳化硅薄膜的制备方法。本方法是在化学气相沉积（CVD）设备中进行的，首先在Si衬底上制备规则的Si纳米柱阵列，生长前原位刻蚀处理去除表面氧化层和沾污，再由碳化形成碳化硅缓冲层，随后初次沉积β‑碳化硅薄膜。当纳米柱侧面生长闭合后加入一个刻蚀过程来降低缺陷和提高晶体质量，最后再次沉积得到高质量β‑碳化硅薄膜。外延过程中使用纯硅烷（SiH