N阱和深N阱的着色方法和混合溶液

摘要

本发明公开了一种对半导体器件中的N阱和深N阱的着色方法和混合溶液。本发明在对N阱和深N阱进行着色之前先对半导体结构进行刻蚀，以使半导体结构变得松散，以利于随后混合溶液对松散的N阱和深N阱区域进行着色；在着色过程中采用了体积比为20:50:1的去离子水、70%浓度硝酸和49%浓度氢氟酸的新的混合溶液，使得对N阱和深N阱的着色速率可控，并且能够达到很好的着色效果。本发明解决了目前进行FA分析时，对小于90nm制程工艺的半导体器件中N阱和深N阱着色难的问题。