深N阱5 V/40 V制程关键工艺条件的开发

摘要

低压5 V/高压40 V制程广泛应用于LCD栅驱动芯片,LED驱动芯片,智能电表芯片及电源管理等产品的生产.N型埋层(NBL)加上P型外延层(P-EPI)做隔离的工艺制程已经稳定量产多年,而以深N阱代替NBL+P-EPI的工艺,不需要昂贵的EPI,同时可减少零层光刻(Zero layer),生产成本大幅降低.DNW工艺可以沿用EPI工艺的Layout设计规则,保持了EPI工艺器件的电特性,特别是高压器件的击穿电压(BV)足够满足各种对栅和漏端均需耐40 V高压产品的应用需求.