漂移区具有横向浓度梯度的LDMOS管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种漂移区具有横向浓度梯度的LDMOS管，该LDMOS管的场极板分为耗尽区和连接区两部分，耗尽区与栅相连，且掺杂类型与栅相反；连接区靠近漏，并与漏极相连，且掺杂类型与栅相同。本发明还公开了上述LDMOS管的制造方法。本发明通过将场极板分为掺杂类型不同的耗尽区和连接区两部分，并和栅一起构成NPN（或PNP）结构，使栅、漏之间的电压差能连续分布在场极板的耗尽区内，从而减少了场极板与漂移区尤其是漏之间的电压差，消除了由场极板引起的热载流子效应。