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机译:通过改变外延层漂移区上的横向掺杂来改善LDMOST
Department of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science & Technology. Taiwan, ROC;
Department of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science & Technology. Taiwan, ROC;
机译:结隔离技术中横向掺杂漂移区变化的横向IGBT的分析
机译:在漂移区内具有任意垂直掺杂分布的横向功率器件的分析模型
机译:利用掺杂工程漂移区改善部分绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的性能
机译:具有变化的横向掺杂漂移层的高压SJ-pLDMOS
机译:横向载荷与间隙漂移总预制混凝土建筑物的关系
机译:具有重掺杂区域的新型4H-SiC MESFET轻微掺杂的区域和绝缘区域
机译:超级结功率MOSFET中漂移区掺杂和列厚度变化的影响:二维仿真研究