具有横向漂移区掺杂剂分布的DMOS晶体管的制造方法

摘要

本发明涉及一种在一半导体基体(10)中制造DMOS晶体管的方法，该半导体基体(10)具有一个沟槽形漂移区(29，30，33)，该漂移区包括一个源极侧的侧面区域(29)，一个沿横向延伸的底部区域(30)和一个漏极侧的侧面区域(33)，本发明的特征是，通过至少一次从上部进行的掺杂剂的注入，在所述底部区域(30)内产生一个沿横向(36)分布的掺杂剂浓度梯度，所述注入仅涉及底部区域(30)的一个局部区域(40)。