退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
何进; 张兴; 黄如; 林晓云; 何泽宏;
北京大学微电子学研究所,北京,100871;
绵阳应用电子技术研究所,四川绵阳,646300;
LDMOS器件; RESURF原理; 线性变化掺杂漂移区; 击穿电压; 导通电阻;
机译:线性渐变掺杂漂移区:一种新型横向电压保持层,用于改善RESURF LDMOS晶体管的性能
机译:新型沟槽栅极功率MOSFET具有高击穿电压并在漂移区中使用SiGe区域降低了导通电阻
机译:水平高击穿电压SiC MOSFET的低导通电阻使用双Resurf结构
机译:改进的垂直GaN基场效应晶体管的导通电阻和击穿电压
机译:具有高击穿电压和低导通电阻的新型沟槽横向功率MOSFET
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:具有低导通电阻的4H-SiC横向双RESURF MOSFET
机译:4H-siC功率双极结晶体管,具有极低的特定导通电阻2.9 mOmega.cm2
机译:具有三角形掺杂的p型基极和漂移区的双极晶体管-在弱掺杂漂移区中具有最小导通路径的导带隙。适合优先注入较轻的电子
机译:改进的导通电阻和击穿电压的沟槽式垂直功率场效应晶体管
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。