Logic gates; Electric fields; Gallium nitride; MODFETs; HEMTs; Doping;
机译:具有源极连接场板的高击穿电压GaN基电流孔径垂直电子晶体管的研究
机译:具有电源应用界面电荷工程的高击穿电压GaN基垂直场效应晶体管的研究
机译:基于界面电荷工程的高击穿电压GaN基垂直场效应晶体管的设计与仿真
机译:改进的导通电阻和击穿电压垂直GaN的场效应晶体管
机译:高电流碳纳米管的演示使垂直有机场效应晶体管在工业上具有相关电压。
机译:更正:改善石墨烯-硅-场效应晶体管的漏极电流饱和度和电压增益
机译:垂直GaN单极装置的击穿电压和特定导通电阻的分析模型