机译:更新了4H-SiC {0001}单极器件中特定导通电阻与击穿电压之间的权衡关系
机译:通过叠加方法对具有接口电荷的功率垂直High-k MOS器件进行建模-击穿电压和特定的导通电阻
机译:带电荷叠加技术的高功率绝缘体垂直功率双扩散金属-氧化物-半导体器件的闭式击穿电压/特定导通电阻模型
机译:高击穿电压和低比导通电阻C掺杂蓝宝石衬底上的HFET,适用于低损耗和高功率开关应用
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:具有充电不平衡的超结型电源设备的击穿电压:通过设备进行打孔和非打孔的分析模型有效