一种垂直结构GaN基增强型场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种垂直结构GaN基增强型场效应晶体管及其制造方法。该器件包括衬底层(1)、缓冲层(2)、非故意掺杂GaN(i‑GaN)外延层(3)、n‑AlGaN外延层(4)、n‑AlN导电层(5)与n‑AlN氧化层(6)、i‑GaN再生长层(7)、AlGaN再生长层(8)、栅极氧化层(9)、设置于(8)上的源极(10)、设置于(4)上的漏极(11)、设置于(9)上的栅极(12)。器件工作时，漏极电流须经过未氧化的n型AlN导电层流向源极，形成垂直导电结构的增强型器件。本发明具有击穿电压高、输出电流密度大、漏电流小等优点，适合于高功率电力电子领域应用。