一种基于倒转粗糙面的GaN基垂直结构发光二极管的制造方法

摘要

本发明公开的一种基于倒转粗糙面的GaN基垂直结构发光二极管的制造方法，采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长无掺杂GaN材料层，将无掺杂GaN材料层各向异性蚀刻后再继续生长LED外延发光材料，经过蚀刻后，无掺杂GaN材料层底部与蓝宝石之间形成不连续的接合界面，一方面，释放部分的LED外延应力，改善了LED外延晶格质量，提高了内量子效率；另一方面，蓝宝石衬底去除后，其不连续的接合界面自然倒转成为粗糙的出光面，提高了LED器件的取光效率。因此，采用本发明方法制造的GaN基垂直结构发光二极管，具有较高的发光效率，尤其适合于大电流驱动应用。