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卫静婷; 张佰君; 刘扬; 范冰丰; 招瑜; 罗睿宏; 冼钰伦; 王钢;
中山大学光电材料与技术国家重点实验室;
硅衬底; 通孔; 垂直结构LED; 电流扩展; 绿光LED; N电极;
机译:通过折射率匹配的Si_3N_4 / GaN纳米线阵列使表面粗糙的垂直GaN基LED的增强的光输出
机译:在Si(111)衬底上具有AlN / GaN分布布拉格反射器的垂直导电InGaN / GaN多量子阱LED
机译:p-GaN /溅射沉积NiAg基电极的界面性能对垂直GaN基LED的光学性能的影响
机译:表面处理对带有电镀金属基板的垂直结构GaN基LED性能的影响
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:新型薄GaN LED结构采用微磨光表面可与传统垂直LED在紫外光下进行比较
机译:新型薄GaN LED结构采用微磨光表面,可与传统垂直LED在紫外光下进行比较
机译:用于新型器件的GaN基异质结构的pendeo-Epitaxy概述;会议文件
机译:用于GaN基垂直LED封装的GaN LED Au-In Au-In互扩散键合方法
机译:制备具有SI衬底的ALN基模板和具有SI衬底的GAN基外延结构的方法
机译:垂直结构GaN基LED器件的制造方法
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