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一种基于碳面SiC衬底的垂直结构氮极性GaN基绿光LED芯片及其制备方法

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摘要

一种基于碳面SiC衬底的垂直结构氮极性GaN基绿光LED及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由下电极层、n型带有斜切角的碳面SiC衬底、n‑Al

1. 一种基于碳面SiC衬底的垂直结构氮极性GaN基绿光LED芯片及其制备方法 [P] . 中国专利： CN106098890B . 2019.04.09
2. 一种基于碳面SiC衬底的垂直结构氮极性GaN基绿光LED芯片及其制备方法 [P] . 中国专利： CN106098890A . 2016-11-09
3. Semipolar and nonpolar GaN without stacking faults grown on heterogeneous substrates by eliminating nitrogen polar facets during growth [P] . 日本专利： JP2019531245A . 2019-10-31

机译：通过消除生长过程中的氮极性小面而在异质衬底上生长的无堆叠缺陷的半极性和非极性GaN
4. GaN based LED formed on a SiC substrate [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2034530B1 . 2015-01-21

机译：在SiC衬底上形成的GaN基LED
5. Vertical structure nonpolar LED chip on lithium gallate substrate and preparation method therefor [P] . 美国专利： US10573777B2 . 2020-02-25

机译：没食子酸锂基板上的垂直结构非极性led芯片及其制备方法