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1.
Scanning near-field optical spectroscopy of AlGaN-based light emitting diodes
机译:
AlGaN基发光二极管的扫描近场光谱
作者:
Andrea Pinos
;
rnSaulius Marcinkevicius
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
AlGaN;
UV light emitting diodes;
scanning near-field optical spectroscopy;
2.
Role of Interface Roughness on Lateral Transport in InGaN/GaN LEDs: diffusion length, dislocation spacing, and radiative efficiency
机译:
界面粗糙度在InGaN / GaN LED的横向传输中的作用:扩散长度,位错间距和辐射效率
作者:
I-Lin Lu
;
rnYuh-Renn Wu
;
rnJohn M. Hinkley
;
rnJasprit Singh
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
3.
The Comprehensive Characteristics of Quaternary AlInGaN with Various TMI Molar Rate
机译:
不同TMI摩尔比的季铵AlInGaN的综合特性。
作者:
Sheng-Fu Yu
;
rnShoou-Jinn Chang
;
rnSheng-Po Chang
;
rnRay-Ming Lin
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
AlInGaN;
MOCVD;
lattice-matched;
4.
Internal quantum efficiency of m-plane InGaN on Si and GaN
机译:
Si和GaN上m面InGaN的内部量子效率
作者:
J. Lee
;
rnX. Ni
;
rnM. Wu
;
rnX. Li
;
rnR. Shimada
;
rnUE. OEzguer
;
rnA. A. Baski
;
rnH. Morkoc
;
rnT. Paskova
;
rnG. Mulholland
;
rnK.R. Evans
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
light emitting didoes;
m-plane GaN;
internal quantum efficiency;
GaN on Si;
5.
Nano-ultrasonic based on GaN nano-layers
机译:
纳米Rasoni c Basse癌症研究
作者:
Chi-Kuang Sun
;
rnYu-Chieh Wen
;
rnYi-Hsin Chen
;
rnKung-Hsuan Lin
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
nanoultrasonics;
GaN;
piezoelectricity;
nanoacoustic waves;
6.
Efficiency retention at high current injection levels in m-plane InGaN light emitting diodes
机译:
m平面InGaN发光二极管在高电流注入水平下的效率保持
作者:
X. Li
;
rnX. Ni
;
rnJ. Lee
;
rnM. Wu
;
rnUE. OEzguer
;
rnH. Morkoc
;
rnT. Paskova
;
rnG. Mulholland
;
rnK.R. Evans
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
m-plane GaN;
light emitting diodes;
internal quantum efficiency;
external quantum efficiency;
InGaN;
7.
Analytical Calculation of the Quantum 1/f Coherence Parameter for HFETs
机译:
HFET的量子1 / f相干参数的解析计算
作者:
Peter H. Handel
;
rnTaher S. Sherif
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
quantum 1/f noise;
quantum 1/f effect;
HFET;
FET;
MODFET;
HEMT;
coherence;
8.
Measurements of gate lag in high quality nearly lattice matched InAlN/AlN/GaN HFET structures
机译:
高质量近晶格匹配的InAlN / AlN / GaN HFET结构中栅极滞后的测量
作者:
J.H. Leach
;
rnM. Wu. X. Ni
;
rnX. Li
;
rnUE. OEzguer
;
rnH. Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
9.
Review of nitride infrared intersubband devices
机译:
氮化物红外子带间设备的回顾
作者:
Maria Tchernycheva
;
rnFrancois H. Julien
;
rnEva Monroy
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
nitrides;
intersubband devices;
quantum wells;
quantum dots;
photodetector;
optical modulator;
10.
Thermal Conductivity Measurement of Pulsed-MOVPE InN Alloy Grown on GaN / Sapphire by 3ω Method
机译:
用3ω法测量GaN /蓝宝石上生长的脉冲MOVPE InN合金的导热系数。
作者:
Hua Tong
;
rnJing Zhang
;
rnHongping Zhao
;
rnGuangyu Liu
;
rnVincent A. Handara
;
rnJuan A. Herbsommer
;
rnNelson Tansu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
thermal conductivity;
InN;
GaN;
thermoelectric;
pulsed-MOVPE;
3ω method;
extended slope technique;
11.
InGaN light emitting diodes with highly transparent ZnO:Ga electrodes
机译:
具有高度透明的ZnO:Ga电极的InGaN发光二极管
作者:
H.Y. Liu
;
rnX. Li
;
rnX. Ni
;
rnV. Avrutin
;
rnN. Izyumskaya
;
rnUE. OEzguer
;
rnH. Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
InGaN;
transparent conductive oxide;
GZO;
ZnO;
multiple quantum well;
light emitting diodes;
current crowding;
12.
Performance improvement of InGaN-based laser diodes by epitaxial layer structure design
机译:
通过外延层结构设计提高InGaN基激光二极管的性能
作者:
Jianping Liu
;
rnYun Zhang
;
rnZachary Lochner
;
rnSeong-Soo Kim
;
rnHyunsoo Kim
;
rnJae-Hyun Ryou
;
rnShyh-Chiang Shen
;
rnP. Doug Yoder
;
rnRussell D. Dupuis
;
rnQiyuan Wei
;
rnKewei Sun
;
rnAlec Fischer
;
rnFernando Ponce
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
laser diodes;
InGaN waveguide layers;
metalorganic chemical vapor deposition;
13.
1/f Noise: A Window to HFET Stability
机译:
1 / f噪声:HFET稳定性的窗口
作者:
Peter H. Handel
;
rnTaher Sherif
;
rnCemil Kayis
;
rnJacob Leach
;
rnCongyong Zhu
;
rnHadis Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
HFET stability against thermal breakdown;
QED and piezoelectric quantum 1/f noise;
InAlN/AlN/GaN and AlGaN/GaN HFETs optimization and reliability;
noise in HFETs and MODFETs;
1/f noise-based FET/HFET reliability optimization and testing;
14.
Analysis and comparison of UV photodetectors based on wide bandgap semiconductors
机译:
基于宽带隙半导体的紫外光电探测器的分析与比较
作者:
Qin Wang
;
rnSusan Savage
;
rnBertrand Noharet
;
rnIngemar Petermann
;
rnSirpa Persson
;
rnSusanne Almqvist
;
rnMietek Bakowski
;
rnJan Y. Andersson
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
GaN;
SiC;
UV photodetectors;
15.
Quantum 1/f noise theory and experiment in QWIPs
机译:
QWIP中的量子1 / f噪声理论和实验
作者:
Amanda M. Truong
;
rnPeter H. Handel
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
quantum 1/f noise;
QWIPs;
photodetectors;
quantum wells;
conventional quantum 1/f effect;
dark current;
1/f noise;
detectivity;
16.
Plasmon-assisted dissipation of LO-mode heat in nitride 2DEG channels
机译:
等离子体辅助在氮化物2DEG通道中散失LO模式的热量
作者:
Arvydas Matulionis
;
rnJuozapas Liberis
;
rnHadis Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
microwave noise;
two-dimensional electron gas;
high electric field;
hot phonons;
GaN-based channels;
17.
Promising composite die-bonding materials for high-power GaN-based LED applications
机译:
适用于大功率GaN基LED应用的有前途的复合芯片键合材料
作者:
Ray-Hua Horng
;
rnJhih-Sin Hong
;
rnYu-Li Tsai
;
rnChia-Ju Chen
;
rnChih-Ming Chen
;
rnDong-Sing Wuu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
LED;
nitride;
thermal conductivity;
diamond;
composite solder;
18.
Realization of high efficiency AlGaInN-based ultraviolet light emitters
机译:
基于AlGaInN的高效紫外发光器的实现
作者:
Seong-Ran JEON
;
rnSung-Jai LEE
;
rnIn-Ki KANG
;
rnJai Bum KIM
;
rnNam Hwang
;
rnSung-Jin SON
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
quaternary AlGaInN;
ultraviolet light-emitting diode;
defect;
internal quantum efficiency;
19.
Reduction in operating voltage of UV laser diode
机译:
降低紫外线激光二极管的工作电压
作者:
Tomoki Ichikawa
;
rnKenichiro Takeda
;
rnYuji Ogiso
;
rnKengo Nagata
;
rnMotoaki Iwaya
;
rnSatoshi Kamiyama
;
rnHiroshi Amano
;
rnIsamu Akasaki
;
rnHarumasa Yoshida
;
rnMasakazu Kuwabara
;
rnYoji Yamashita
;
rnHirofumi Kan
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
AlGaN;
GaN;
ultraviolet;
laser diodes;
operating voltage;
20.
GaN-based VCSELs: Analysis of internal device physics and performance limitations
机译:
基于GaN的VCSEL:内部器件物理特性和性能限制分析
作者:
Joachim Piprek
;
rnSimon Li
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
GaN-based laser;
vertical-cavity surface-emitting laser;
VCSEL;
numerical simulation;
built-in polarization;
current crowding;
leakage current;
electron stopper layer;
21.
First-principles simulation of GaN material and devices: An application to GaN APDs
机译:
GaN材料和器件的第一性原理模拟:GaN APD的应用
作者:
Enrico Bellotti
;
rnMichele Moresco
;
rnFrancesco Bertazzi
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
gallium nitride;
monte carlo;
avalanche photodetectors;
impact ionization;
22.
Growth of self-standing GaN substrates
机译:
自立式GaN衬底的生长
作者:
Hyun-Jae Lee
;
rnKatsushi Fujii
;
rnTakenari Goto
;
rnChinkyo Kim
;
rnJiho Chang
;
rnSoon-Ku Hong
;
rnMeoungwhan Cho
;
rnTakafumi Yao
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
HVPE;
GaN substrate;
self-separation;
evaporable buffer layer;
23.
Achieving p-In_xGa_(1-x)N alloys with high In contents
机译:
实现In含量高的p-In_xGa_(1-x)N合金
作者:
B. N. Pantha
;
rnA. Sedhain
;
rnJ. Li
;
rnJ. Y. Lin
;
rnH. X. Jiang
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
InGaN;
p-type doping;
acceptor energy level;
MOCVD;
Hall Effect measurement;
PL;
24.
EXTENDED DEFECTS IN NITRIDE LAYERS, INFLUENCE ON THE QUANTUM WELLS AND QUANTUM DOTS
机译:
氮化物层中的扩展缺陷,对量子阱和量子点的影响
作者:
P. Ruterana
;
rnM.P. Chauvat
;
rnY. Arroyo Rojas Dasilva
;
rnH. Lei
;
rnL. Lahourcade
;
rnE. Monroy
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
25.
The Lasing Characteristics of GaN-based Two-dimensional Photonic Crystal Surface Emitting Lasers
机译:
GaN基二维光子晶体表面发射激光器的激光特性
作者:
S. W. Chen
;
rnT. T. Kao
;
rnT. T. Wu
;
rnT. C. Lu
;
rnH. C. Kuo
;
rnS. C. Wang
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
GaN;
photonic crystal;
surface emitting laser;
26.
Molecular Beam Epitaxial Growth, Fabrication, and Characterization of InN/Si Nanowire Heterojunction Solar Cells
机译:
InN / Si纳米线异质结太阳能电池的分子束外延生长,制备和表征
作者:
Yi-Lu Chang
;
rnZetian Mi
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
indium nitride;
solar cell;
nanowire;
and monolithic integration;
27.
Extended defects in semipolar (1122) gallium nitride
机译:
半极性(1122)氮化镓中的扩展缺陷
作者:
Yadira Arroyo-Rojas Dasilva
;
rnPierre Ruterana
;
rnLise Lahourcade
;
rnEva Monroy
;
rnGilles Nataf
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
semipolar GaN;
defects;
dislocations;
stacking faults;
28.
Novel Device Concepts for High Efficiency InGaN-Based Light-Emitting Diodes
机译:
新型基于InGaN的高效发光二极管的器件概念
作者:
Hongping Zhao
;
rnGuangyu Liu
;
rnYik-Khoon Ee
;
rnXiao-Hang Li
;
rnHua Tong
;
rnJing Zhang
;
rnG.S. Huang
;
rnNelson Tansu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
III-nitride;
InGaN QWs;
light emitting diodes;
MOCVD epitaxy;
light extraction efficiency;
29.
Development of high-power UV LEDs for epoxy curing applications
机译:
开发用于环氧固化应用的大功率UV LED
作者:
W.H. Liu
;
rnC.F. Chu
;
rnC.C. Cheng
;
rnK.H.Hsu
;
rnY.T. Chung
;
rnY.K.Wang
;
rnC.C.Li
;
rnJ.Y. Chu
;
rnF.H. Fan
;
rnH.C. Cheng
;
rnY.W. Chen
;
rnY.H. Chang
;
rnL.W.Shan
;
rnT. Doan
;
rnC. Tran
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
UV LED;
VLED;
UV curing;
30.
Selective growth and impurity incorporation in semipolar GaN grown on Si substrate
机译:
在硅衬底上生长的半极性GaN中的选择性生长和杂质掺入
作者:
N. Sawaki
;
rnY.Honda
;
rnT.Hikosaka
;
rnS.Tanaka
;
rnM.Yamaguchi
;
rnN.Koide
;
rnK.Tomita
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
GaN;
MOVPE;
semipolar face;
selective eitaxy;
impurity doping;
Si substrate;
photoluminescence;
31.
Magnetic Cages of GaN Nanoclusters Doped with Gd and Nd
机译:
掺Gd和Nd的GaN纳米团簇的磁笼。
作者:
Vijay Kumar
;
rnJohn M. Zavada
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
32.
Ammonothermal growth of GaN substrates
机译:
GaN衬底的单热生长
作者:
R. Dwilinski
;
rnR. Doradzinski
;
rnJ. Garczynski
;
rnL. Sierzputowski
;
rnR. Kucharski
;
rnM. Zajac
;
rnM. Rudzinski
;
rnW. Strupinski
;
rnJ. Serafinczuk
;
rnR. Kudrawiec
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
gallium nitride;
ammonothermal method;
structural properties;
optical properties;
bulk GaN substrate;
33.
Original GaN-based LED structure on ZnO template by MOCVD
机译:
通过MOCVD在ZnO模板上的原始GaN基LED结构
作者:
Ray-Ming Lin
;
rnSheng-Fu Yu
;
rnMiin-Jang Chen
;
rnWen-Ching Hsu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
ZnO;
LED;
MOCVD;
34.
Non-polar m-plane GaN film and polarized InGaN/GaN LED grown on LiAlO_2 (001) substrates
机译:
在LiAlO_2(001)衬底上生长的非极性m面GaN膜和极化的InGaN / GaN LED
作者:
R. Zhang
;
rnZ.L. Xie
;
rnB. Liu
;
rnX.Q. Xiu
;
rnD.Y. Fu
;
rnZ. Zhang
;
rnP. Han
;
rnY.D. Zheng
;
rnS. M. Zhou
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
non-polar GaN;
k· p hamiltonian approach;
anisotropic strain;
polarized InGaN/GaN LED;
polarization degree;
35.
Enhancement of light extraction efficiency on blue light-emitting diodes by moth-eye structure
机译:
蛾眼结构提高蓝色发光二极管的光提取效率
作者:
T. Kondo
;
rnA. Suzuki
;
rnF. Teramae
;
rnT. Kitano
;
rnY. Kaneko
;
rnR. Kawai
;
rnK. Teshima
;
rnS. Maeda
;
rnS. Kamiyama
;
rnM. Iwaya
;
rnH. Amano
;
rnI. Akasaki
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
moth-eye structure;
SiC;
LED;
nitride;
light extraction;
periodic cone;
electron beam lithography;
36.
Transmission electron microscopy and XRD investigations of InAlN/GaN thin heterostructures for HEMT applications
机译:
用于HEMT的InAlN / GaN薄异质结构的透射电子显微镜和XRD研究
作者:
Arantxa Vilalta-Clemente
;
rnMagali Morales
;
rnMarie P. Chauvat
;
rnYadira Arroyo-Rojas Dasilva
;
rnMarie A. Poisson
;
rnMichael Heuken
;
rnChristoph Giesen
;
rnPierre Ruterana
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
InAlN;
HEMT;
TEM;
XRD;
dislocation;
AFM;
strain;
heterostructures;
37.
Effect of UV exposure on the surface charge behavior for GaN
机译:
紫外线暴露对GaN表面电荷行为的影响
作者:
M. Foussekis
;
rnJ. D. Ferguson
;
rnX. Ni
;
rnH. Morkoc
;
rnM. A. Reshchikov
;
rnA. A. Baski
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
GaN;
surface photovoltage;
SPV;
band-bending;
SKPM;
38.
Ab initio study of structural properties for zincblende AlInN: Comparison of LDA and GGA
机译:
闪锌矿AlInN的结构性质从头开始研究:LDA和GGA的比较
作者:
Bo-Ting Liou
;
rnBang-Yenn Wu
会议名称:
《》
|
2010年
关键词:
zincblende AlInN;
ab initio;
LDA;
GGA;
lattice constant;
bulk modulus;
39.
Output Power Enhancement of Light Emitting Diodes with Defect Passivation layer
机译:
具有缺陷钝化层的发光二极管的输出功率增强
作者:
Ming-Hua Lo
;
rnPo-Min Tu
;
rnYuh-Jen Cheng
;
rnChao-Hsun Wang
;
rnCheng-Wei Hung
;
rnShih-Chieh Hsu
;
rnHao-Chung Kuo
;
rnHsiao-Wen Zan
;
rnShing-Chung Wang
;
rnChun-Yen Chang
;
rnC he-MingLiu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
GaN;
defect passivation;
40.
Comparison of different template structures for high quality and self-separation thick GaN growth
机译:
高质量和自分离厚GaN生长的不同模板结构的比较
作者:
Yen-Hsiang Fang
;
rnChu-Li Chao
;
rnTung-Wei Chi
;
rnKuei-Ming Chen
;
rnPo-Chun Liu
;
rnJenq-Dar Tsay
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
air-bridges;
nanorods;
thermal expansion;
lattice mismatch;
41.
High-power high-efficiency continuous-wave InGaN laser diodes in the violet, blue, and green wavelength regimes
机译:
紫色,蓝色和绿色波长范围内的高功率高效连续波InGaN激光二极管
作者:
James W. Raring
;
rnEric M. Hall
;
rnMathew C. Schmidt
;
rnChristiane Poblenz
;
rnBen Li
;
rnNick Pfister
;
rnDaniel F. Feezell
;
rnRichard Craig
;
rnJames S. Speck
;
rnSteven P. DenBaars
;
rnShuji Nakamura
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
laser diodes;
GaN;
nonpolar GaN;
semipolar GaN;
green laser diodes;
blue laser diodes;
violet laser diodes;
42.
Analytical methods to study loss mechanisms and lifetime investigations of blue InGaN laser diodes
机译:
研究蓝色InGaN激光二极管损耗机理和寿命研究的分析方法
作者:
J. Mueller
;
rnG. Bruederl
;
rnM. Schillgalies
;
rnA. Breidenassel
;
rnS. Tautz
;
rnD. Dini
;
rnT. Lermer
;
rnS. Lutgen
;
rnU. Strauss
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
InGaN laser;
degradation;
43.
Non-polar m-plane GaN on patterned Si(112) substrates by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过金属有机化学气相沉积在图案化Si(112)衬底上的非极性m面GaN
作者:
X. Ni
;
rnM. Wu
;
rnJ. Lee
;
rnX. Li
;
rnA. A. Baski
;
rnUE. OEzguer
;
rnH. Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
m-plane;
non-polar;
nitride;
MOCVD;
Si;
internal quantum efficiency;
44.
On carrier spillover in c- and m-plane InGaN Light Emitting Diodes
机译:
在c和m平面InGaN发光二极管中的载流子溢出
作者:
J. Lee
;
rnX. Li
;
rnX. Ni
;
rnUE. OEzguer
;
rnH. Morkoc
;
rnT. Paskova
;
rnG. Mulholland
;
rnK.R. Evans
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices V》
|
2010年
关键词:
light emitting didoes;
m-plane GaN;
internal quantum efficiency;
carrier spillover;
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