GaN系HFETsの電流コラプスの測定～非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET

摘要

c面および非極性a面GaN基板上AlGaN／GaN HFETの電流コラブスを測定した。a-HFETはc面上のHFETsに比べ高い閾値電圧と電流コラプス耐性の両立に優れることを実証した。また、p-GdNゲートを用いたc面ノーマリーオフ型JHFETについても電流コラブスの測定を行った、ドライエッチングによって露出されたAlGaN 表面のデバイスでは電流コラブスが極めて大きいが、SiNパッシベーションによって、as-grownで同じ組成·膜厚を有するAlGaNバリアのノーマリーオン型HFETsと同程度まで電流コラプス耐性が向上した。