一种低导通电阻MIS凹槽栅GaN基晶体管及制备方法

摘要

本发明涉及半导体器件领域，公开了一种低导通电阻MIS凹槽栅GaN基晶体管及制备方法,本发明主要通过调制凹栅处无2DEG区(即凹槽侧壁)的栅长来控制栅沟道电阻。该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层以及栅介质层、源极、漏极、栅极。所述外延层包括一次外延生长的应力缓冲层、GaN外延层、AlN层、选择区域生长的二次外延层，并形成凹槽沟道。再沉积栅介质层，形成源极和漏极及在栅介质层上形成栅极。本发明可通过材料外延生长方法精确控制凹栅处无2DEG区(即凹槽侧壁)的栅长，提高栅沟道电阻的均匀性，并形成高质量的MIS栅界面，尤其对降低沟道电阻、提高阈值电压稳定性是十分关键的。