机译:具有0.3μm栅长的AlGaN / GaN HEMT的低损伤,基于Cl {sub} 2基的栅凹槽蚀刻
AlGaN/GaN HEMT; Cl{sub}2 -based plasma; Reactive ion etching (RIE) recess etching;
机译:栅极长度可变的0.15μm栅长AlGaN / GaN HEMT
机译:使用$ hbox {Al} _ {2} hbox {O} _ {3} / hbox {SiN} _ {x} $介电层制造的70纳米凹进栅长AlGaN / GaN HEMT
机译:通过对BCl3 / Cl-2进行ICP刻蚀,凹入SiC的AlGaN / GaN HEMT的DC和RF特性
机译:数字蚀刻可在AlGaN / GaN HEMT上实现高度可复制的低损伤栅极凹陷
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:极化库仑场散射对70nm栅长AlGaN / GaN HEMT的电性能的影响
机译:使用光学电化学反应的AlGaN / GaN Hemts的低损伤蚀刻