机译:栅极长度可变的0.15μm栅长AlGaN / GaN HEMT
Micro and Nanotechnology Laboratory, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, 1L 61801, USA;
AlGaN; GaN; high electron mobility transistors; gate recess; trap-assisted tunneling;
机译:具有0.3μm栅长的AlGaN / GaN HEMT的低损伤,基于Cl {sub} 2基的栅凹槽蚀刻
机译:使用$ hbox {Al} _ {2} hbox {O} _ {3} / hbox {SiN} _ {x} $介电层制造的70纳米凹进栅长AlGaN / GaN HEMT
机译:场板长度变化的场镀0.25- / splμ/ m栅长AlGaN / GaN HEMT
机译:栅长为0.15μm的双凹伪形HEMT,f / sub max /为350 GHz
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:极化库仑场散射对70nm栅长AlGaN / GaN HEMT的电性能的影响
机译:基于GaN技术的0.15-μm栅极长度HEMT的温度灵敏度的实验性和系统洞察