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用于形成细间距铜凸块结构的机构

摘要

本发明提供了用于形成细间距铜凸块结构的机构。所描述的形成铜柱结构的机构使在平坦导电表面上形成铜柱结构成为可能。另外,铜柱结构由杨氏模量比聚酰亚胺更高(或更硬的材料)的模塑层支持。所形成的铜柱结构大大减小了钝化层碎裂和围绕铜柱结构的电介质界面处分层的风险。

著录项

  • 公开/公告号CN103137585B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201210190255.X

  • 申请日2012-06-08

  • 分类号H01L23/485(20060101);H01L21/60(20060101);

  • 代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲;孙征

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 09:43:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-07-06

    授权

    授权

  • 2013-07-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/485 申请日:20120608

    实质审查的生效

  • 2013-06-05

    公开

    公开

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