公开/公告号CN208819888U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-05-03
原文格式PDF
申请/专利权人 无锡新洁能股份有限公司;
申请/专利号CN201821851832.4
申请日2018-11-09
分类号
代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙);
代理人曹祖良
地址 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
入库时间 2022-08-22 09:02:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-03
授权
授权
机译: 具有屏蔽电极结构的绝缘栅半导体器件的制造方法及其结构
机译: 具有屏蔽电极结构的绝缘栅半导体器件和方法
机译: 具有屏蔽电极结构的绝缘栅场效应晶体管器件的形成方法