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庄宝煌; 黄美纯; 朱梓忠; 张志鹏; 李开航; 吴丽清;
厦门大学物理学系;
功率器件; GAT; 屏蔽效应; 解析模型; 定量分析;
机译:掺铝ZrHfO2栅介质的CNT场效应晶体管器件的低功率开关特性
机译:异质栅无结隧道场效应晶体管:低功率器件的未来
机译:具有低功率和高可靠性的深亚微米互补金属氧化物半导体器件的具有双高k栅氧化层厚度的Pt栅/ AI_2O_3 / p-Si(100)的电和物理分析
机译:具有深沟槽的0.18μm功率半导体器件的栅氧化物产量提高:DP:分立器件和功率器件
机译:新型基于氮化硅的电荷陷阱栅功率半导体器件。
机译:随机纳米氮化钛晶粒引起的动态功率延迟的特性波动以及全能门纳米线CMOS器件和电路的纵横比效应
机译:静态和动态条件下半导体功率器件上总电离剂量效应的研究。静态和动态条件下电离辐射总剂量对半导体功率器件的影响研究
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:功率半导体器件包括垂直MOSFET和绝缘栅双极晶体管作为功率半导体芯片组件,垂直结场效应晶体管和MOSFET的堆叠,桥电路和级联电路
机译:制造双栅场效应晶体管器件的方法,以及这种双栅场效应晶体管器件
机译:产生双栅场效应晶体管器件的方法和那种双栅场效应晶体管器件
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