一种基于分离栅电极的栅控PN结

摘要

本实用新型涉及一种基于分离栅电极的栅控PN结，包括栅区、源区、漏区、沟道区和衬底，栅区位于沟道区的下方，栅区包括栅介质和栅电极，栅电极由分离的第一栅电极和第二栅电极构成，第一栅电极和第二栅电极位于栅介质下方且位于衬底之上，栅介质由对离子导电对、电子绝缘的固态多孔材料作为栅介质层，栅介质与沟道区的界面形成一个理论厚度只有1nm的双电层电容，使得器件可以在较低的栅压下对沟道区静电掺杂，源区和漏区位于沟道区的两侧，源区、漏区和栅区设置在衬底之上。本实用新型采用分离栅电极结构，通过控制第一栅电极和第二栅电极的电压极性，可以实现NP、PN、NN、PP等多种构造。