首页> 中文期刊>电子器件 >栅控pn结表面效应及其应用

栅控pn结表面效应及其应用

     

摘要

栅控效应即绝缘栅场效应MOS器件及集成电路的理论基础,是半导体工程中研究广泛手一个课题。pn结是整个半导体器件及集成电路的核心,尤其是双极型器件及电路赖以发展的基础,对它的研究受到最大的重视是理所当然的。但是,对于三种效应的互相结合和互相作用所产生的综合效应——栅控pn结表面效应,并没有受到应有的关注,在半导体器件尤其是大规模、超大规模集成电路迅猛发展的今天。对于这种效应的深入研究已经是势在必行的了。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号