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栅扫描法分离栅控横向PNP双极晶体管辐照感生缺陷

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设计并制作了一种栅控横向PNP双极晶体管测试结构,在常规横向PNP双极晶体管基区表面氧化层上制作了一栅电极,利用栅扫描法,通过扫描栅极所加电压,获得了基极电流随栅极电压的变化特性.理论推导和数学计算获得了氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷的定量变化,分离出栅控横向PNP双极晶体管在辐照及其室温退火过程中感生的缺陷.本文对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍.

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来源
《第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会》|2012年|168-174|共7页
会议地点四川绵阳
作者
Xi Shan-Bin; 席善斌; Lu Wu; 陆妩; Ren Di-Yuan; 任迪远; Zhou Dong; 周东; Wen Lin; 文林; Sun Jing; 孙静; Wu Xue; 吴雪;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类电子设备;
关键词
航天工程; 栅控横向即插即用双极晶体管; 辐照感生缺陷; 栅扫描法;
入库时间 2022-08-17 11:06:37

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