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摘 要
Abstract
目 录
第 1 章 绪 论
1.1 选题背景及研究的目的和意义
1.2 电离辐射缺陷
1.2.1 界面态陷阱
1.2.2 氧化物电荷
1.3 位移辐射损伤
1.4 氢对辐照缺陷损伤的影响
1.5 电场对辐射损伤的影响
1.6 本文的主要研究内容
第 2 章 试验器件及分析测试方法
2.1 试验样品
2.2 辐照源
2.3 氢气浸泡试验
2.4.1 不同发射结偏置辐照
2.4.2 不同栅极偏置辐照
2.5 电性能及缺陷分析方法
2.5.1 Gummel 曲线及电流增益测试方法
2.5.2 过剩基极电流
2.5.3 栅扫描(GS)技术
2.5.4 深能级瞬态谱分析(DLTS)方法
第 3 章 氢气对 GLPNP 晶体管辐照效应的影响
3.1 Gummel 特性曲线变化规律
3.2 电流增益退化规律
3.3 ΔIB变化规律
3.4 GS 曲线变化规律
3.5 本章小结
第 4 章 电场对 GLPNP 晶体管辐照效应的影响
4.1.1 Gummel 特性曲线变化规律
4.1.2 电流增益退化规律
4.1.3 ΔIB变化规律
4.1.4 GS 曲线变化规律
4.2.1 Gummel 特性曲线变化规律
4.2.2 电流增益退化规律
4.2.3 ΔIB变化规律
4.2.4 GS 曲线变化规律
4.3 本章小结
第 5 章 氢气和电场对质子辐照损伤影响机制
5.1.1 辐照感生缺陷的分离计算
5.1.2 深能级瞬态谱(DLTS)分析
5.1.3 氢对 GLPNP 晶体管辐照效应影响机理分析
5.2 电场对 GLPNP 质子辐照损伤机理研究
5.2.1 不同栅偏压对 GLPNP 质子辐照损伤机理研究
5.2.2 不同结偏压对 GLPNP 质子辐照损伤机理研究
5.3 本章小结
参考文献
哈尔滨工业大学学位论文原创性声明和使用权限
致 谢
