基于栅控LPNP晶体管进行质子位移损伤等效的方法

摘要

本发明属于质子位移损伤技术领域，具体涉及一种基于栅控LPNP晶体管进行质子位移损伤等效的方法，解决了半导体器件质子辐照位移损伤效应等效性测试的技术难题。利用栅极电压控制调制晶体管表面复合的方法，利用栅控手段抑制表面复合并对少数载流子寿命进行直接测量，通过少数载流子寿命与1MeV等效中子注量的函数关系实现质子位移损伤效应与1MeV中子辐照损伤的等效。本发明选用的栅控电荷分离分析方法同时能够对质子辐照损伤引入的累积电离辐射总剂量效应进行测量，对氧化物电荷密度和界面陷阱密度实现定量测量。