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IEEE International Memory Workshop
IEEE International Memory Workshop
召开年:
2016
召开地:
Paris(FR)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
17x Reliability Enhanced LDPC Code with Burst-Error Masking and High-Precision LLR for Highly Reliable Solid-State-Drives with TLC NAND Flash Memory
机译:
具有突发错误掩蔽和高精度LLR的17x可靠性增强型LDPC代码,用于带有TLC NAND闪存的高度可靠的固态驱动器
作者:
Tsukasa Tokutomi
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
2.
A Bottom-Source Single-Gate Vertical Channel (BS-SGVC) 3D NAND Flash Architecture and Studies of Bottom Source Engineering
机译:
底部源单门垂直通道(BS-SGVC)3D NAND闪存架构和底部源工程研究
作者:
Sheng-Chih Lai
;
Hang-Ting Lue
;
Tzu-Hsuan Hsu
;
Chen-Jun Wu
;
Li-Yang Liang
;
Pei-Ying Du
;
Chia-Jung Chiu
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
3.
A Double-Data- Rate 2 (DDR2) Interface Phase-Change Memory with 533MB/s Read -Write Data Rate and 37.5ns Access Latency for Memory-Type Storage Class Memory Applications
机译:
双倍数据速率2(DDR2)接口相变存储器,具有533MB / s的读写数据速率和37.5ns的访问延迟,适用于存储器类型的存储类存储器应用
作者:
Hsiang-Lan Lung
;
Christopher P. Miller
;
Chia-Jung Chen
;
Scott C. Lewis
;
Jack Morrish
;
Tony Perri
;
Richard C. Jordan
;
Hsin-Yi Ho
;
Tu-Shun Chen
;
Wei-Chih Chien
;
Mark Drapa
;
Tom Maffitt
;
Jerry Heath
;
Yutaka Nakamura
;
Junka Okazawa
;
Kohji Hosokawa
;
Matt BrightSky
;
Robert Bruce
;
Huai-Yu Cheng
;
Asit Ray
;
Yung-Han Ho
;
Chiao-Wen Yeh
;
Wanki Kim
;
Sangbum Kim
;
Yu Zhu
;
Chung Lam
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
4.
Fully Analytical Compact Model of OxRAM Based on Joule Heating and Electromigration for DC and Pulsed Operation
机译:
基于焦耳热和电迁移的直流和脉冲操作的OxRAM完全解析紧凑模型
作者:
S. Blonkowski
;
T. Cabout
;
M. Azazz
;
C. Cagli
;
E. Jalaguier
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
5.
A Si-Doped High-Performance WOx Resistance Memory Using a Novel Field-Enhanced Structure
机译:
使用新型场增强结构的Si掺杂高性能WOx电阻存储器
作者:
Kuang-Hao Chiang
;
Erh-Kun Lai
;
Chao-Hung Wang
;
Yu-Hsuan Lin
;
Po-Hao Tseng
;
Jau-Yi Wu
;
Ming-Hsiu Lee
;
Dai-Ying Lee
;
Yu-Yu Lin
;
Feng-Ming Lee
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
6.
An Efficient Sudden-Power-Off-Recovery Design with Guaranteed Booting Time for Solid State Drives
机译:
高效的突然断电恢复设计,保证固态硬盘的启动时间
作者:
Yu-Ming Chang
;
Ping-Hsien Lin
;
Ye-Jyun Lin
;
Tai-Chun Kuo
;
Yuan-Hao Chang
;
Yung-Chun Li
;
Hsiang-Pang Li
;
K. C. Wang
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
7.
An Ultra Low-Power Non-Volatile Memory Design Enabled by Subquantum Conductive-Bridge RAM
机译:
亚量子导电桥RAM实现的超低功耗非易失性存储器设计
作者:
Nathan Gonzales
;
John Dinh
;
Derric Lewis
;
Nad Gilbert
;
Bard Pedersen
;
Deepak Kamalanathan
;
John R. Jameson
;
Shane Hollmer
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
8.
Analytical Model to Evaluate the Role of Deep Trap State in the Reliability of NAND Flash Memory and Its Process Dependence
机译:
评估深陷阱状态在NAND闪存可靠性中的作用及其过程相关性的分析模型
作者:
B. -J. Yang
;
Y. -T. Wu
;
Y. -Y. Chiu
;
R. Shirota
;
T. -M. Kuo
;
J. -H. Chang
;
P. -Y. Wang
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
9.
Application Optimized Adaptive ECC with Advanced LDPCs to Resolve Trade-Off among Reliability, Performance, and Cost of Solid-State Drives
机译:
应用优化的带有高级LDPC的自适应ECC解决了固态硬盘可靠性,性能和成本之间的折衷
作者:
Yusuke Yamaga
;
Chihiro Matsui
;
Shogo Hachiya
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
10.
Carbon-Based Resistive Memories
机译:
碳基电阻式存储器
作者:
W. W. Koelmans
;
T. Bachmann
;
F. Zipoli
;
A. K. Ott
;
C. Dou
;
A. C. Ferrari
;
O. Cojocaru-Miredin
;
S. Zhang
;
C. Scheu
;
M. Wuttig
;
V. K. Nagareddy
;
M. F. Craciun
;
A. M. Alexeev
;
C. D. Wright
;
V. P. Jonnalagadda
;
A. Curioni
;
A. Sebastian
;
E. Eleftheriou
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
11.
Comparative Analysis of Program/Read Disturb Robustness for GeSbTe-Based Phase-Change Memory Devices
机译:
基于GeSbTe的相变存储器件的编程/读取干扰鲁棒性的比较分析
作者:
N. Castellani
;
G. Navarro
;
V. Sousa
;
P. Zuliani
;
R. Annunziata
;
M. Borghi
;
L. Perniola
;
G. Reimbold
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
12.
Construction of High-Rate Generalized Concatenated Codes for Applications in Non-Volatile Flash Memories
机译:
非易失性闪存中应用的高速通用级联代码的构造
作者:
Jens Spinner
;
Mohammed Rajab
;
Jurgen Freudenberger
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
13.
Control of Sub-Nanosecond Precessional Magnetic Switching in STT-MRAM Cells for SRAM Applications
机译:
用于SRAM应用的STT-MRAM单元中亚纳秒级进动磁开关的控制
作者:
B. Lacoste
;
M. Marins de Castro
;
R. C. Sousa
;
I. L. Prejbeanu
;
L. D. Buda-Prejbeanu
;
S. Auffret
;
U. Ebels
;
B. Rodmacq
;
B. Dieny
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
14.
Demonstration of Reliable Triple-Level-Cell (TLC) Phase-Change Memory
机译:
可靠的三级单元(TLC)相变存储器的演示
作者:
M. Stanisavljevic
;
H. Pozidis
;
A. Athmanathan
;
N. Papandreou
;
T. Mittelholzer
;
E. Eleftheriou
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
15.
Demonstration of Yield Improvement for On-Via MTJ Using a 2-Mbit 1T-1MTJ STT-MRAM Test Chip
机译:
演示使用2Mbit 1T-1MTJ STT-MRAM测试芯片提高通行MTJ的产量
作者:
Hiroki Koike
;
Sadahiko Miura
;
Hiroaki Honjo
;
Toshinari Watanabe
;
Hideo Sato
;
Soshi Sato
;
Takashi Nasuno
;
Yasuo Noguchi
;
Mitsuo Yasuhira
;
Takaho Tanigawa
;
Masakazu Muraguchi
;
Masaaki Niwa
;
Kenchi Ito
;
Shoji Ikeda
;
Hideo Ohno
;
Tetsuo Endoh
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
16.
Device Characteristics of Single-Gate Vertical Channel (SGVC) 3D NAND Flash Architecture
机译:
单门垂直通道(SGVC)3D NAND闪存架构的设备特性
作者:
Chen-Jun Wu
;
Hang-Ting Lue
;
Tzu-Hsuan Hsu
;
Chih-Chang Hsieh
;
Wei-Chen Chen
;
Pei-Ying Du
;
Chia-Jung Chiu
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
17.
Doped Gd-O Based RRAM for Embedded Application
机译:
用于嵌入式应用的基于掺杂Gd-O的RRAM
作者:
C. Y. Chen
;
L. Goux
;
A. Fantini
;
A. Redolfi
;
G. Groeseneken
;
M. Jurczak
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
18.
Effect of Read Disturb on Incomplete Blocks in MLC NAND Flash Arrays
机译:
读干扰对MLC NAND闪存阵列中不完整块的影响
作者:
N. Papandreou
;
T. Parnell
;
T. Mittelholzer
;
H. Pozidis
;
T. Griffin
;
G. Tressler
;
T. Fisher
;
C. Camp
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
19.
Endurance/Retention Trade Off in HfOx and TaOx Based RRAM
机译:
在基于HfOx和TaOx的RRAM中的持久性/保留权衡
作者:
M. Azzaz
;
E. Vianello
;
B. Sklenard
;
P. Blaise
;
A. Roule
;
C. Sabbione
;
S. Bernasconi
;
C. Charpin
;
C. Cagli
;
E. Jalaguier
;
S. Jeannot
;
S. Denorme
;
P. Candelier
;
M. Yu
;
L. Nistor
;
C. Fenouillet-Beranger
;
L. Perniola
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
20.
eNVM Technologies Scaling Outlook and Emerging NVM Technologies for Embedded Applications
机译:
eNVM技术可扩展前景并为嵌入式应用提供新兴的NVM技术
作者:
Nhan Do
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
21.
Investigation of Factors Affecting SET-Disturb Failure Time in a Resistive Switching Memory
机译:
电阻开关存储器中SET-干扰故障时间的影响因素研究
作者:
P. C. Su
;
Y. T. Chung
;
M. C. Chen
;
Tahui Wang
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
22.
Functionality Demonstration of a High-Density 2.5V Self-Aligned Split-Gate NVM Cell Embedded into 40nm CMOS Logic Process for Automotive Microcontrollers
机译:
用于汽车微控制器的40nm CMOS逻辑工艺中嵌入的高密度2.5V自对准分栅NVM单元的功能演示
作者:
L. Q. Luo
;
Z. Q. Teo
;
Y. J. Kong
;
F. X. Deng
;
J. Q. Liu
;
F. Zhang
;
X. S. Cai
;
K. M. Tan
;
K. Y. Lim
;
P. Khoo
;
S. M. Jung
;
S. Y. Siah
;
D. Shum
;
C. M. Wang
;
J. C. Xing
;
G. Y. Liu
;
Y. Diao
;
G. M. Lin
;
L. Tee
;
S. M. Lemke
;
P. Ghazavi
;
X. Liu
;
N. Do
;
K. L. Pey
;
K. Shubhakar
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
23.
Heirarchical Full-Chip Fast-Simulation Based Design Mitigation of CHC in NAND Flash Memory
机译:
基于分层全芯片快速仿真的NAND闪存中CHC的设计缓解
作者:
Balaji Vaidyanathan
;
Preston Kauk
;
Santhosh Krishnan
;
Mattia Cichocki
;
Marco-Domenico Tiburzi
;
Michele Incarnati
;
Manik Advani
;
Qiang Tang
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
24.
High Operating Temperature Reliability of Optimized Ge-Rich GST Wall PCM Devices
机译:
优化的Ge-Rich GST壁式PCM器件的高工作温度可靠性
作者:
J. Kluge
;
G. Navarro
;
V. Sousa
;
N. Castellani
;
S. Blonkowski
;
R. Annunziata
;
P. Zuliani
;
L. Perniola
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
25.
High Temperature Data Retention of Ferroelectric Memory on 130nm and 180nm CMOS
机译:
130nm和180nm CMOS上铁电存储器的高温数据保留
作者:
J. A. Rodriguez
;
C. Zhou
;
T. Graf
;
R. Bailey
;
M. Wiegand
;
T. Wang
;
M. Ball
;
H. C. Wen
;
K. R. Udayakumar
;
S. Summerfelt
;
T. San
;
T. Moise
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
26.
Highly Scalable 2nd-Generation 45-nm Split-Gate Embedded Flash with 10-ns Access Time and 1M-Cycling Endurance
机译:
具有10ns访问时间和1M循环寿命的高度可扩展的第二代45nm分离门嵌入式闪存
作者:
Yong Kyu Lee
;
Hongkook Min
;
Changmin Jeon
;
Boyoung Seo
;
Gayoung Lee
;
Eunkang Park
;
Donghyun Kim
;
Changhyun Park
;
Baeseong Kwon
;
Minsu Kim
;
Bongsang Lee
;
Duckhyung Lee
;
Hyosang Lee
;
Jisung Kim
;
Sunghee Cho
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
27.
Hybrid CMOS-OxRAM Image Sensor for Overexposure Control
机译:
用于过度曝光控制的混合CMOS-OxRAM图像传感器
作者:
Ashwani Kumar
;
Mukul Sarkar
;
Manan Suri
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
28.
Improvement of Poly-Si Channel Vertical Charge Trapping NAND Devices Characteristics by High Pressure D2/H2 Annealing.
机译:
通过高压D2 / H2退火改善多晶硅通道垂直电荷陷阱NAND器件的特性。
作者:
L. Breuil
;
J. G. Lisoni
;
R. Delhougne
;
C. L. Tan
;
J. Van Houdt
;
G. Van den bosch
;
A. Furnemont
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
29.
In Depth Analysis of Post-Program VT Instability after Electrical Stress in 3D SONOS Memories
机译:
在3D SONOS存储器中电应力后的程序后VT不稳定性的深度分析中
作者:
Alexandre Subirats
;
Antonio Arreghini
;
Robin Degraeve
;
Dimitri Linten
;
Geert Van den bosch
;
Arnaud Furnemont
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
30.
In-Depth Analysis of NBTI at 2X nm Node DRAM
机译:
NBTI在2X nm节点DRAM上的深度分析
作者:
Seunguk Han
;
Sungsam Lee
;
Sungkweon Baek
;
Sungho Jang
;
Wonchang Jeong
;
Kijae Huh
;
Moonyoung Jeong
;
Junhee Lim
;
Satoru Yamada
;
Hyeongsun Hong
;
Kyupil Lee
;
Gyoyoung Jin
;
Eunseung Jung
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
31.
Internal Cell Resistance as the Origin of Abrupt Reset Behavior in HfO2-Based Devices Determined from Current Compliance Series
机译:
从当前合规性系列确定的内部单元电阻是基于HfO2的设备中突然复位行为的起因
作者:
Alexander Hardtdegen
;
Camilla La Torre
;
Hehe Zhang
;
Carsten Funck
;
Stephan Menzel
;
Rainer Waser
;
Susanne Hoffmann-Eifert
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
32.
Junctionless Array with Ultrathin PolyTiN Floating Gate and HfAlO Based Intergate Dielectric for Sub-15nm Planar NAND Flash
机译:
具有超薄PolyTiN浮栅和基于HfAlO的栅间电介质的无结阵列,用于低于15nm的平面NAND闪存
作者:
Pieter Blomme
;
Janko Versluis
;
Monique Ercken
;
Laurent Sourieau
;
Hubert Hody
;
Guglielma Vecchio
;
Vasile Paraschiv
;
Chi Lim Tan
;
Geert Van den bosch
;
Jan Van Houdt
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
33.
Memory System Architecture Optimization for Enterprise All-RRAM Solid State Drives
机译:
企业All-RRAM固态驱动器的内存系统架构优化
作者:
Lorenzo Zuolo
;
Cristian Zambelli
;
Alessandro Grossi
;
Rino Micheloni
;
Stephen Bates
;
Piero Olivo
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
34.
N-Doping Impact in Optimized Ge-Rich Materials Based Phase-Change Memory
机译:
基于优化的富Ge材料的相变存储器中的N掺杂影响
作者:
G. Navarro
;
V. Sousa
;
P. Noe
;
N. Castellani
;
M. Coue
;
J. Kluge
;
A. Kiouseloglou
;
C. Sabbione
;
A. Persico
;
A. Roule
;
O. Cueto
;
S. Blonkowski
;
F. Fillot
;
N. Bernier
;
R. Annunziata
;
M. Borghi
;
E. Palumbo
;
P. Zuliani
;
L. Perniola
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
35.
NAND Flash Memory Revolution
机译:
NAND闪存革命
作者:
Seiichi Aritome
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
36.
Privacy-Protection SSD with Precision ECC and Crush Techniques for 15.5× Improved Data-Lifetime Control
机译:
具有精确ECC和粉碎技术的隐私保护SSD,可实现15.5倍改进的数据生命周期控制
作者:
Hiroki Yamazawa
;
Kazuki Maeda
;
Tomoko Ogura Iwasaki
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
37.
Reduction of GIDL Using Dual Work-Function Metal Gate in DRAM
机译:
使用DRAM中的双功函数金属门减少GIDL
作者:
S. K. Gautam
;
S. Maheshwaram
;
S. K. Manhas
;
Arvind Kumar
;
Steven Sherman
;
Sung Ho Jo
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2016年
38.
Storage As Fast As Rest of the System
机译:
存储速度与系统其余部分一样快
作者:
Annie Foong
;
Frank Hady
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2016年
39.
SuperFlash® Scaling Aspects: Program Disturb
机译:
SuperFlash®扩展方面:程序干扰
作者:
Viktor Markov
;
JinHo Kim
;
Alexander Kotov
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2016年
40.
The Statistical Evaluation of Correlations between LRS and HRS Relaxations in RRAM Array
机译:
RRAM阵列中LRS和HRS弛豫之间的相关性的统计评估
作者:
Chen Wang
;
Huaqiang Wu
;
Bin Gao
;
Lingjun Dai
;
Deepak C. Sekar
;
Zhichao Lu
;
Gary Bronner
;
Dong Wu
;
He Qian
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2016年
41.
Theoretical Analysis of Planar Flat Floating Gate NAND Flash Device and Experimental Study of Floating-Gate (FG) / Charge-Trapping (CT) Fusion Device for Comprehensive Understanding of Charge Storage and Operation Principle
机译:
平面平面浮栅NAND闪存器件的理论分析和浮栅/电荷陷阱(CT)融合器件的实验研究,以全面了解电荷存储和工作原理
作者:
Hang-Ting Lue
;
Pei-Ying Du
;
Roger Lo
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2016年
42.
Threshold Switching in Amorphous Cr-Doped Vanadium Oxide for New Crossbar Selector
机译:
用于新型纵横制选择器的非晶态Cr掺杂钒氧化物的阈值切换
作者:
J. A. J. Rupp
;
R. Waser
;
D. J. Wouters
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2016年
43.
Ultra Low Power Charge Pump with Multi-Step Charging and Charge Sharing
机译:
具有多步充电和电荷共享功能的超低功耗电荷泵
作者:
Steve Ngueya W.
;
Julien Mellier
;
Stephane Ricard
;
Jean-Michel Portal
;
Hassen Aziza
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2016年
44.
Universal Signatures from Non-Universal Memories: Clues for the Future...
机译:
来自非普遍回忆的普遍签名:未来的线索...
作者:
L. Perniola
;
G. Molas
;
G. Navarro
;
E. Nowak
;
V. Sousa
;
E. Vianello
;
B. De Salvo
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2016年
45.
Vertical CBRAM (V-CBRAM): From Experimental Data to Design Perspectives
机译:
垂直CBRAM(V-CBRAM):从实验数据到设计角度
作者:
G. Piccolboni
;
M. Parise
;
G. Molas
;
A. Levisse
;
J. M. Portal
;
R. Coquand
;
C. Carabasse
;
M. Bernard
;
A. Roule
;
J. P. Noel
;
B. Giraud
;
M. Harrand
;
C. Cagli
;
T. Magis
;
E. Vianello
;
B. De Salvo
;
G. Ghibaudo
;
L. Perniola
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2016年
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