机译:合规电流对基于Cu / HFO2的忆阻器件的保留时间的影响
机译:顺电流控制掺锂ZnO电阻随机存取存储器件的多级电阻切换行为
机译:TaN / CeO_2 / Ti:/ Pt存储设备中从单极性到双极性的过渡,多级切换,突然和逐步复位现象
机译:内部电池阻力作为基于HFO2的设备中突然复位行为的起源,从电流合规性系列确定
机译:自相容电流受限的基于过渡金属氧化物的ReRAM器件和应用。
机译:基于亚氧化钽的神经形态装置的无遵从性数字SET和模拟RESET突触特性
机译:基于HfO2的忆阻器逐渐/突变动力学实验研究