机译:适用于汽车的40 nm嵌入式分栅MONOS(SG-MONOS)闪存宏,在170°C的结温下具有160 MHz随机访问的代码和超过10 M周期的耐久性,可存储数据
机译:用于汽车的28 nm嵌入式分栅MONOS(SG-MONOS)闪存宏通过170 MHz的200 MHz无等待读取操作实现了6.4 GB / s的读取吞吐量,在170的Tj处实现了2.0 MB / s的写入吞吐量<公式> >
机译:表征嵌入式分栅NOR闪存中的辐射和应力诱发的退化
机译:高度可扩展的第二代45-NM分流门嵌入式闪存,具有10-NS接入时间和1M循环耐久性
机译:使用大规模NAND闪存的固态数据存储电路和系统。
机译:基于本地CD4测试需求的集成分层服务交付模型(ITSDM)可以缩短周转时间并节省成本同时确保整个国家计划的可访问性和可扩展CD4服务
机译:n通道分栅嵌入式闪存中p型浮栅的编程效率高