机译:使用双重工作功能金属门的DRAM和改进的陷阱引起的数据保留时间劣化
机译:用于描述低电场区域中栅极电压和栅极感应漏极泄漏(GIDL)的温度依赖性的新模型[DRAMs]
机译:栅极金属功函数工程对增强重叠双材料栅极DG-FET的亚阈值模拟/ RF性能的影响
机译:在DRAM中使用双重工作函数金属门的GIDL减少
机译:使用金属假象减少(MAR)算法和双能计算机断层扫描(CT)方法进行金属假象减少的剂量学评估。
机译:基于双栅隧穿晶体管的无电容DRAM垫片工程优化
机译:基于金属栅极功函数的阈值电压灵敏度基于LSTP技术的双栅极n-FinFET结构的性能评估