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公开/公告号CN202380122U
专利类型实用新型
公开/公告日2012-08-15
原文格式PDF
申请/专利权人 曾泽斌;
申请/专利号CN201120511065.4
发明设计人 曾泽斌;
申请日2011-12-09
分类号C30B15/00(20060101);
代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;
代理人张法高
地址 310013 浙江省杭州市西湖区求是村67栋1单元702
入库时间 2022-08-21 23:32:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-08-15
授权
机译: 计算硅熔体的表面的高度位置的方法,生长硅单晶的方法和硅单晶提拉装置
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