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硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉及其方法

摘要

本发明公开了一种硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉及其方法。由提拉头、副炉室、隔离阀、炉体、上部保温罩、加热器、坩埚升降旋转机构、石墨坩埚、坩埚、钢丝绳、夹头等组成单晶提拉部分,由小炉筒、加料仓,隔离阀、加料和称重装置、连续熔化管,隔热体、加热器、熔体温度稳定管等构成熔体连续加注部分,实现多晶硅的连续熔化和硅单晶的连续生长。本发明能将相邻两次打开单晶炉的间隔时间延长到30天以上,能有效降低坩埚的尺寸、降低直拉硅单晶生长方法的能耗,提高了生产效率,也能有效降低直拉硅单晶生长方法的氧含量。

著录项

  • 公开/公告号CN102418140A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-04-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 曾泽斌;

    申请/专利号CN201110407848.2

  • 发明设计人 曾泽斌;

    申请日2011-12-09

  • 分类号C30B15/00;C30B29/06;

  • 代理机构杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人张法高

  • 地址 310013 浙江省杭州市西湖区求是村67栋1单元702

  • 入库时间 2023-12-18 04:51:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-03-11

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B15/00 申请公布日:20120418 申请日:20111209

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2012-05-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/00 申请日:20111209

    实质审查的生效

  • 2012-04-18

    公开

    公开

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