机译:横向磁场下硅直拉晶体生长中熔体晶体界面附近的温度分布分析
Kyushu Univ, Appl Mech Res Inst, Kasuga, Fukuoka 8168580, Japan;
computer simulations; interfaces; magnetic fields; magnetic field assisted czochralski method; semiconducting silicon; LARGE CZ SYSTEM; SI GROWTH; FLOW; DEFECTS; HEAT;
机译:横向磁场应用切克劳斯基方法分析晶体生长过程中硅熔体-晶体界面处杂质的局部偏析
机译:横向磁场下Czochralski硅生长的流动,热和氧分布的三维数值模拟
机译:硅切克劳斯基炉的部分三维整体建模。 Ⅱ。模型应用:横向磁场下的硅直拉炉分析
机译:磁场对直晶硅生长中熔体-晶体界面形状和熔体流动的影响
机译:具有稳定和旋转磁场的化合物半导体晶体的液体封装Czochralski生长。
机译:量身定制具有均匀方向的横向磁场的双轴磁性纳米带中的平面横向畴壁
机译:Czochralski技术生长磁性硅单晶过程中零高斯平面的位置对熔体界面氧浓度的影响