金属氧化物半导体薄膜晶体管中的稳定性增强

摘要

本发明涉及半导体薄膜晶体管(TFT)结构的电介质层中的等离子体氢化区域提高了TFT的稳定性。TFT是包括电极、设置在电极上的电介质层和电介质层上的金属氧化物半导体的多层结构。在沉积半导体之前将电介质层暴露于含氢等离子体使得在半导体-电介质界面上产生等离子体氢化区域。等离子体氢化区域并入氢，从半导体/电介质界面至所述电介质层和所述半导体层中的一者或两者的本体中，氢的浓度降低。