SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管

摘要

在NH3和O2的混合气氛下,本文采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiO2/p-Si衬底上制备氮掺杂ZnO薄膜,XRD分析表明ZnO薄膜掺入微量的氮后仍有很高的结晶质量和高度的C轴择优取向性,(0002)面摇摆曲线的半峰宽仅为1.89°;并在此基础上制备了以氮掺杂ZnO薄膜为沟道层、以SiO2为绝缘层的底栅式薄膜晶体管,电学测试表明该晶体管工作在N沟道增强模式,阈值电压为5.15V,电流开关比为104,电子的场迁移率达到2.66 cm2/V·S.